2025-07-16 07:21:02
半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時,電子會彈射出一個光子,該光子的能量為1.12eV,根據(jù)波粒二象性原理,該光子的波長為1100nm,屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)行復(fù)合的時候就會產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點的原因之一:載流子復(fù)合。所以正偏二極管的PN結(jié)處能看到亮點。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象,(體寄生三極管導(dǎo)通)也會觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點。通過調(diào)節(jié)探測靈敏度,它能適配不同漏電流大小的檢測需求,靈活應(yīng)對多樣的檢測場景。非制冷微光顯微鏡用戶體驗
在微光顯微鏡(EMMI) 操作過程中,當(dāng)對樣品施加合適的電壓時,其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過采集和圖像處理后,可以形成一張信號圖。隨后,取消施加在樣品上的電壓,在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進(jìn)行疊加處理,就可以精確地定位發(fā)光點的位置,實現(xiàn)對失效點的精確定位。進(jìn)一步地,為了提升定位的準(zhǔn)確性,可采用多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如,通過濾波算法去除背景噪聲,增強(qiáng)信號圖的信噪比;利用邊緣檢測技術(shù),突出顯示發(fā)光點的邊緣特征,從而提高定位精度。IC微光顯微鏡方案熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應(yīng)發(fā)生時也會產(chǎn)生光子,在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點。
同時,微光顯微鏡(EMMI)帶來的高效失效分析能力,能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段,快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題,可避免研發(fā)過程中的反復(fù)試錯,加快產(chǎn)品從實驗室走向市場的速度。當(dāng)市場需求瞬息萬變時,更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能**先推出符合市場需求的產(chǎn)品,**占市場先機(jī)。例如,在當(dāng)下市場 5G 芯片、AI 芯片等領(lǐng)域,技術(shù)迭代速度極快,誰能更早解決研發(fā)中的失效難題,誰就能在技術(shù)競爭中爭先一步,建立起差異化的競爭優(yōu)勢。
選擇國產(chǎn) EMMI 微光顯微鏡,既是擁抱技術(shù)自主,更是**占效率與成本的雙重優(yōu)勢!致晟光電全本土化研發(fā)實力,與南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院深度攜手,致力于光電技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢,構(gòu)建起產(chǎn)學(xué)研深度融合的技術(shù)研發(fā)體系。
憑借這一堅實后盾,我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現(xiàn)更佳突破:-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡,輕松捕捉極微弱漏電流光子信號,漏電缺陷定位精度與國際設(shè)備同步,讓每一個細(xì)微失效點無所遁形。 針對納米級半導(dǎo)體器件,搭配超高倍物鏡,能分辨納米尺度的缺陷發(fā)光,推動納米電子學(xué)研究。
OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色,其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言,EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點,而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)(即PEM系統(tǒng))中,其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷,如漏電流方面表現(xiàn)出色,而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如,EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點,而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗(<10 ohm)短路問題。微光顯微鏡的便攜款桌面級設(shè)計,方便在生產(chǎn)線現(xiàn)場快速檢測,及時發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品問題,減少不合格品流出。IC微光顯微鏡方案
其低噪聲電纜連接設(shè)計,減少信號傳輸過程中的損耗,確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。非制冷微光顯微鏡用戶體驗
RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備,其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ,構(gòu)建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準(zhǔn)確捕捉器件在微弱漏電流下產(chǎn)生的極微弱微光信號,實現(xiàn)納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術(shù),設(shè)備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析,為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐,助力優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性。從芯片研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控,RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能,為半導(dǎo)體器件全生命周期的質(zhì)量保障提供科學(xué)解決方案,是半導(dǎo)體行業(yè)提升良率的關(guān)鍵檢測利器。非制冷微光顯微鏡用戶體驗
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